PAM8908JER DIODES(美臺(tái)) QFN-16-EP(3x3)? ，PAM8908JER 品牌： DIODES(美臺(tái)) 封裝：QFN-16-EP(3x3) 通道數(shù)：雙聲道 工作電壓：2.5V~5.5V 工作電流:4mA 類目：音頻功率放大器
ITS4200SMEOHUMA1 Infineon SOT-223-4 電源開關(guān) IC - 配電 ，產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性 制造商: Infineon 產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電 RoHS: 類型: High Side 輸出端數(shù)量: 1 Output 輸出電流: 700 mA 電流限制: 1.4 A 導(dǎo)通電阻—最大值: 150 mOhms 運(yùn)行時(shí)間—最大值: 100 us 空閑時(shí)間—最大值: 150 us 工作電源電壓: 11 V to 45 V
K4T1G084QG-BCF8 是三星公司生產(chǎn)的一款 DDR2 DRAM 芯片，K4T1G084QG-BCF8 是三星公司生產(chǎn)的一款 DDR2 DRAM 芯片，其主要功能如下：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能：該芯片的存儲(chǔ)容量為 1Gbit，組織形式為 128M×8，即可以存儲(chǔ) 128M 個(gè) 8 位的數(shù)據(jù)，能夠?yàn)樵O(shè)備提供一定容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和緩存空間，適用于需要臨時(shí)存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的場(chǎng)景，如計(jì)算機(jī)的內(nèi)存、嵌入式設(shè)備的內(nèi)存等。高速數(shù)據(jù)傳輸功能：作為 DDR2 DRAM 芯片，它采用了在時(shí)鐘的上升沿和下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)
MP1470GJ-Z 是一款由 Monolithic Power Systems（MPS，芯源）公司生產(chǎn)的同步整流降壓式開關(guān)穩(wěn)壓器。，MP1470GJ-Z 是一款由 Monolithic Power Systems（MPS，芯源）公司生產(chǎn)的同步整流降壓式開關(guān)穩(wěn)壓器?；緟?shù)輸入電壓范圍：4.7V 至 16V。輸出電壓范圍：0.8V 至 14.4V，輸出電壓可調(diào)。輸出電流：最大可達(dá) 2A。開關(guān)頻率：固定為 490KHz 左右（不同資料略有差異，約 490KHz
ITS4200SMENHUMA1 Infineon SOT-223-4 電源開關(guān) IC - 配電 ，產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性 制造商: Infineon 產(chǎn)品種類: 電源開關(guān) IC - 配電 RoHS: 類型: High Side 輸出端數(shù)量: 1 Output 輸出電流: 700 mA 電流限制: 1.5 A 導(dǎo)通電阻—最大值: 400 mOhms 運(yùn)行時(shí)間—最大值: 100 us 空閑時(shí)間—最大值: 150 us 工作電源電壓: 5 V to 34
BSP603S2LHUMA1 60000PCS ，型號(hào)BSP603S2LHUMA1 品牌 INFINEON/英飛凌 封裝 SOT223 漏源電壓（Vdss） 55 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 5.2A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 33 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 4
24FC512-I/SM 是 Microchip Technology 生產(chǎn)的一款電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），24FC512-I/SM 是 Microchip Technology 生產(chǎn)的一款電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）。以下是其詳細(xì)介紹：基本信息品牌：Microchip。存儲(chǔ)容量：512Kbit，存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)為 64K×8。接口類型：采用 2 線制 I2C 串行接口，與 I2C 標(biāo)準(zhǔn)兼容。封裝形式：通常為 8 引腳小外形集成電路封裝（SOIC
SMBJ30CA 是一款雙向瞬態(tài)抑制二極管（TVS），常用于保護(hù)敏感電子設(shè)備免受電壓瞬變的影響。，基本參數(shù) 額定功率：600W。 最大反向工作電壓（VRWM）：30V。 擊穿電壓（VBR）：最小值為 33.3V，最大值為 36.8V 或 38.3V（不同資料略有差異）。 最大鉗位電壓（VC）：48.4V。 額定電流（Ipp）：12.4A。 封裝形式：SMB（DO-214AA），尺寸約為 4.75mm×3.94mm，高度為 2.65mm。 工作溫度范圍：-55℃至 + 150℃。 功能特點(diǎn)
LF356MX 是德州儀器（Texas Instruments）生產(chǎn)的一款高性能 JFET 輸入運(yùn)算放大器。，LF356MX 是德州儀器（Texas Instruments）生產(chǎn)的一款高性能 JFET 輸入運(yùn)算放大器。主要特點(diǎn)高輸入阻抗與低偏置電流：采用 JFET 輸入配置，輸入阻抗高達(dá)輸入偏置電流僅為 30pA，能夠處理高阻抗信號(hào)而不增加顯著噪聲，對(duì)于延長(zhǎng)傳感器壽命及提高測(cè)量精度至關(guān)重要。寬頻帶與高壓擺率：增益帶寬積為 5MHz，壓擺率為 12V/μs，保證了
2EDN8524RXUMA1 柵極驅(qū)動(dòng)器 貼片TSSOP-8 一站式bom配單 IC芯片，Infineon 代理分銷 2EDN8524RXUMA1現(xiàn)貨10k 2EDN8524RXUMA1 代理 2EDN8524RXUMA1其他參數(shù)聯(lián)系客服 2EDN8524RXUMA1 停產(chǎn)了嗎 2EDN8524RXUMA1現(xiàn)貨5k 2EDN8524RXUMA1最小包裝 2EDN8524RXUMA1 PDF文件 規(guī)格書 2EDN8524RXUMA1 最新年份是什么時(shí)候 2EDN8524RXUMA1 規(guī)格書
SM712-02HTG 是 Littelfuse（力特）公司推出的一款瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS Diode Array），屬于 SM712 系列，，基本參數(shù) 封裝形式：采用 SOT-23-3 封裝，是表面貼裝（SMD/SMT）類型，尺寸小巧，便于在印刷電路板上安裝 。 工作電壓：最大反向工作電壓（反向截止電壓）為 12V，工作電壓范圍為 - 7V 到 12V，適用于一些具有不對(duì)稱工作電壓的電路 。 擊穿電壓：最小擊穿電壓為 13.3V（反向） 。 鉗位電壓：最大鉗位電壓為 31V，當(dāng)瞬態(tài)過電壓發(fā)
2EDN7434BXTSA1，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請(qǐng)聯(lián)系 代理現(xiàn)貨2EDN7434BXTSA1供應(yīng) 有關(guān)咨詢2EDN7434BXTSA1價(jià)格 2EDN7434BXTSA1 中文資料-數(shù)據(jù)手冊(cè)-PDF資料 2EDN7434BXTSA1 是英飛凌科技（Infineon Technologies）的一款柵極驅(qū)動(dòng)器，屬于 EiceDRIVER? 2EDN 系列。以下是其相關(guān)信息： 產(chǎn)品概述： 2EDN7434BXTSA1 是一款快速雙通道 4A 柵極驅(qū)動(dòng)器，針對(duì)驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)和超結(jié) MOSFET 以及寬
華芯邦科技專注數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)，其LED驅(qū)動(dòng)芯片采用原邊反饋技術(shù)，具高精度調(diào)節(jié)、高集成度及穩(wěn)定輸出性能，廣泛應(yīng)用于家居、戶外、汽車等領(lǐng)域，助力節(jié)能照明，持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新。，LED照明技術(shù)的快速發(fā)展，電源管理芯片已成為決定LED燈具性能、壽命和能效的關(guān)鍵因素。華芯邦科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，其LED驅(qū)動(dòng)芯片解決方案以其高效能、高可靠性和高度集成性，正助力各類照明應(yīng)用實(shí)現(xiàn)卓越性能。 1 華芯邦LED電源管理芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 華芯邦科技有限公司成立于2008年，總部位于深圳，是一家專注于數(shù)模
BSP78HUMA1 60000PCS 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，型號(hào) BSP78HUMA1 品牌 INFIENON 封裝 SOT223 開關(guān)類型 通用 輸出數(shù) 1 比率 - 輸入:輸出 1：1 輸出配置 高端 輸出類型 N 通道 接口 開/關(guān) 電壓 - 負(fù)載 12V ~ 45V 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) 不需要 電流 - 輸出（最大值） 700mA 導(dǎo)通電阻（典型值） 150 毫歐 輸入類型 非反相 特性 帶有自動(dòng)重啟功能 故障保護(hù)
DRV8874PWPR 是德州儀器（TI）推出的一款高性能 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，專為直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)控制設(shè)計(jì)，具有集成度高、保護(hù)功能完善等特點(diǎn)，基本信息 制造商：Texas Instruments（德州儀器） 產(chǎn)品類別：集成電路（IC），屬于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、控制器 系列：DRV8874 封裝：16-TSSOP（薄型小外形封裝），表面貼裝型，適合空間受限的設(shè)計(jì) 安裝類型：表面貼裝型 RoHS 狀態(tài)：符合 RoHS 規(guī)范，濕氣敏感性等級(jí)（MSL）為 3（168 小時(shí)） 關(guān)鍵參數(shù) 供電電壓范圍：6.
TPS54260DGQR 是德州儀器（Texas Instruments ）推出的一款高性能集成電路，屬于降壓型 DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器，在電源管理領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，基礎(chǔ)信息 制造商：Texas Instruments（德州儀器，簡(jiǎn)稱 TI） 類別：集成電路（IC），具體為穩(wěn)壓器 - DC-DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 系列：Eco-Mode? 封裝 / 外殼：10-PowerTFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） ，供應(yīng)商器件封裝為 10-HVSSOP 安裝類型：表面貼裝型 RoHS
M95160-DRMN3TP/K 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款 16Kbit 串行 SPI 總線電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），M95160-DRMN3TP/K 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款 16Kbit 串行 SPI 總線電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）。以下是其詳細(xì)介紹：存儲(chǔ)容量：存儲(chǔ)容量為 16Kbit，內(nèi)存配置為 2K x 8 位，能夠以這種格式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)，滿足多種應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)空間的需求。
MAX13054ESA 是美信半導(dǎo)體（Maxim Integrated）推出的一款工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高速 CAN 收發(fā)器接口 IC，主要用于實(shí)現(xiàn) CAN 協(xié)議控制器與 CAN 總線的物理連接。，MAX13054ESA 是美信半導(dǎo)體（Maxim Integrated）推出的一款工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)高速 CAN 收發(fā)器接口 IC，主要用于實(shí)現(xiàn) CAN 協(xié)議控制器與 CAN 總線的物理連接。以下是其詳細(xì)介紹：功能特點(diǎn)：高速通信：數(shù)據(jù)速率最高可達(dá) 2Mbps，能滿足大多數(shù)工業(yè)和汽車應(yīng)用對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度的要求。寬電
NTMFS5C423NLT3G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請(qǐng)聯(lián)系 NTMFS5C423NLT3G? 供貨情況 NTMFS5C423NLT3G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C423NLT3G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊(cè)-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 封裝: Reel 封裝: Cut Tape 商標(biāo): onsemi 產(chǎn)品類型: MOSFETs 系列: NTMFS5C423
NTMFS5C423NLT1G，更多詳情參數(shù)或規(guī)格書請(qǐng)聯(lián)系 NTMFS5C423NLT1G? 供貨情況 NTMFS5C423NLT1G? 產(chǎn)品購買 NTMFS5C423NLT1G? 中文資料-數(shù)據(jù)手冊(cè)-PDF資料 制造商: onsemi 產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: SO-8FL-4 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V Id-連續(xù)漏極電流: 1
BSP321PL6327HTSA1 60000PCS 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢，型號(hào) BSP321PL6327HTSA1 品牌 Infineon/英飛凌 封裝 SOT-223 技術(shù) MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 500 V 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 400mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 4 歐姆 @ 400mA，10V 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值
MAX96722GTB/V+T ADI(亞德諾)/MAXIM(美信) QFN 現(xiàn)貨供應(yīng) 歡迎來電咨詢 ，MAX96722GTB/V+T 品牌： ADI(亞德諾)/MAXIM(美信) 封裝：QFN 類目：通信接口 MAX96722GTB/V+T 是亞德諾半導(dǎo)體（Analog Devices）公司推出的一款通信接口芯片，具體介紹如下： 基本特性： 接口標(biāo)準(zhǔn)：是一款四通道 GMSL2 到 CSI-2 的解串器，支持 GMSL2 和 GMSL1 協(xié)議。在 GMSL2 模式下，每個(gè)串行鏈路正
G5NB-1A-E DC12 是歐姆龍（Omron）公司生產(chǎn)的一款通用功率繼電器，基本信息： 所屬系列：G5NB 系列。 產(chǎn)品類型：通用功率繼電器。 觸點(diǎn)配置：?jiǎn)蔚秵螖S（SPST，1 Form A），常開觸點(diǎn)。 安裝方式：插件式（Through Hole），適合通過焊接固定在電路板上。 線圈參數(shù)： 線圈電壓：直流 12V（DC 12V）。 線圈電阻：720Ω。 線圈電流：16.7mA。 線圈功率：200mW。 線圈類型：非鎖存型。 觸點(diǎn)參數(shù)： 觸點(diǎn)材料：銀合金（Ag）。 最大切換
G5NB-1A-E-24VDC 是歐姆龍（Omron）公司生產(chǎn)的一款功率繼電器，線圈參數(shù)： 線圈電壓：直流 24V（DC 24V），這是使繼電器正常工作需要施加在線圈上的電壓。 線圈電阻：2.88kΩ，在一定程度上影響線圈的電流消耗 。 線圈功率：200mW ，表示線圈工作時(shí)消耗的功率 。 線圈電流 ：8.3mA。 動(dòng)作 / 釋放電壓：必須動(dòng)作電壓為 18VDC ，必須釋放電壓為 2.4VDC。即當(dāng)線圈電壓達(dá)到 18V 時(shí)繼電器會(huì)動(dòng)作，當(dāng)電壓下降到 2.4V 時(shí)繼電器會(huì)釋放。 線圈類型：無極性
IP1818L 是臺(tái)灣九旸（ICPLUS）公司推出的一款以太網(wǎng)控制 IC，主要用于以太網(wǎng)交換機(jī)等設(shè)備中，IP1818L 是臺(tái)灣九旸（ICPLUS）公司推出的一款以太網(wǎng)控制 IC，主要用于以太網(wǎng)交換機(jī)等設(shè)備中，以下是其詳細(xì)介紹：基本特性：接口類型：提供 16 個(gè) SS-SMII 接口、2 個(gè) RGMII 接口、1 個(gè) 1000Base-X Serdes 接口和 1 個(gè) MII 接口。存儲(chǔ)容量：嵌入 2.75MB 的 SRAM，用于數(shù)據(jù)包緩沖。報(bào)文長(zhǎng)度：支持報(bào)文長(zhǎng)度不超過 15
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